本報記者 劉會玲

    7月1日晚間，來自證監(jiān)會消息，中微半導體科創(chuàng)板IPO注冊獲通過。自3月29日提交申報稿獲受理之后，公司經歷了四輪問詢，至6月11日提交上會稿；6月26日提交注冊；再到證監(jiān)會同意公司科創(chuàng)板IPO注冊，不到100天時間中微半導體走完了從申報到注冊的所有流程。

    根據科創(chuàng)板審核流程，在證監(jiān)會同意公司注冊之后，發(fā)行人可在1年之內自主選擇發(fā)行時間。也就是說中微半導體應按照規(guī)定在注冊決定有效期內發(fā)行股票即可。

    據悉，中微半導體聚焦用于集成電路、LED芯片等微觀器件領域的等離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備和MOCVD設備等關鍵設備的研發(fā)、生產和銷售。公司所處的半導體設備行業(yè)屬于半導體產業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一。

    中微半導體表示，公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進封裝。公司的MOCVD設備在行業(yè)領先客戶的生產線上大規(guī)模投入量產，已成為世界排名前列、國內占主導地位的氮化鎵基LED設備制造商。

    此外，中微半導體在招股書中披露到，公司開發(fā)出與美國設備公司具有同等質量和相當數量的等離子體刻蝕設備并實現(xiàn)量產。

    記者梳理公司資料發(fā)現(xiàn)，中微半導體在全球多地設有營銷中心，負責公司所有產品的銷售管理。下設國內、韓國、日本、新加坡、美國等國家或者地區(qū)銷售部門。

    截至2019年2月28日，中微半導體及其子公司擁有484項在中國境內注冊專利，467項在境外注冊的專利。

    公司管理層高度重視研發(fā)，2016年至2018年研發(fā)投入分別為3.02億元、3.30億元和4.04億元，累計達到10.37億元。不僅如此，公司董事長尹志堯從事半導體行業(yè)數十年，有著豐富的相關工作經驗。

    據介紹，尹志堯1944年生，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職于英特爾中心技術開發(fā)部，擔任工藝工程師；1986年至1991年，就職于泛林半導體，歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)部資深經理；1991年至2004年，就職于應用材料，曾任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官等職務；2004年至今，擔任中微公司董事長及總經理。

    有市場分析人士指出，“公司重視研發(fā)投入，會促進公司的核心技術開發(fā)，擁有自己的專利技術，這樣才能在國際市場立足發(fā)展。”

（編輯 白寶玉）